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關(guān)于金博
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產(chǎn)品中心
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高性能硬氈材料
用途與特點(diǎn)：適用于各種高溫保溫領(lǐng)域，具有導(dǎo)熱低、純度高等特點(diǎn)。高效/高純硬氈導(dǎo)熱系數(shù)<0.2W/(m·K)，灰分≤20ppm
關(guān)鍵詞:
詳細(xì)介紹
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牌號(hào) |
KBC-PRG-500 |
KBC-PRG-200 |
KBC-PRG-50 |
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體積密度(g/cm3) |
0.15-0.25 |
0.15-0.25 |
0.15-0.25 |
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含炭量(%） |
≥98.5 |
≥99.9 |
≥99.9 |
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導(dǎo)熱系數(shù)（25℃) (w/m.k） |
0.15-0.25 |
0.15-0.25 |
0.15-0.25 |
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灰分 （ppm） |
≤500 |
≤200 |
≤50 |
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處理溫度（°C) |
2100 |
2400 |
2400 |
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使用環(huán)境 |
空氣（℃) |
≤300 |
≤300 |
≤300 |
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惰性氣體/真空（℃) |
≥2100 |
≥2400 |
≥2400 |
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尺寸 |
長(zhǎng)度(mm) |
≤2400 |
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寬度(mm) |
≤2400 |
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厚度(mm) |
20-120 |
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相關(guān)產(chǎn)品
用途與特點(diǎn)：用于高純硅晶體生長(zhǎng)，承載硅料和石英坩堝，抗折強(qiáng)度≥120MPa，作為進(jìn)口石墨的替代產(chǎn)品，裝料量提高5倍以上，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長(zhǎng)降低成本
用途與特點(diǎn)：用于高純硅晶體生長(zhǎng)，構(gòu)建晶體生長(zhǎng)的梯度溫場(chǎng)，作為進(jìn)口石墨的替代產(chǎn)品，長(zhǎng)晶速率提高2倍以上，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體提升生長(zhǎng)效率
用途與特點(diǎn)： 用于高純硅晶體生長(zhǎng)，構(gòu)建長(zhǎng)晶空間，保障長(zhǎng)晶溫度穩(wěn)定，長(zhǎng)晶功率降低40%以上，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長(zhǎng)節(jié)能降耗
用途與特點(diǎn)： 用于高純硅晶體生長(zhǎng)，為晶體生長(zhǎng)提供熱量，局部溫度可達(dá)2200℃以上，作為進(jìn)口石墨的替代產(chǎn)品，使用壽命長(zhǎng)，為半導(dǎo)體、光伏晶體長(zhǎng)時(shí)間生長(zhǎng)提供保障
用途與特點(diǎn)： 用于高純硅晶體生長(zhǎng)，構(gòu)建晶體生長(zhǎng)的梯度溫場(chǎng)，作為石墨、石英的替代產(chǎn)品，具有導(dǎo)熱低，強(qiáng)度高，熱膨脹系數(shù)低，抗沖擊性、抗熱震性優(yōu)異等特點(diǎn)，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體節(jié)能降耗，提升效率
用途與特點(diǎn)： 用于高純硅晶體生長(zhǎng)，作為轉(zhuǎn)接部件構(gòu)建長(zhǎng)晶空間，強(qiáng)度高，導(dǎo)熱低，重量輕，熱膨脹系數(shù)低，抗熱震性能優(yōu)異，能以更薄的厚度安全承載更大的載荷，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長(zhǎng)節(jié)能降耗，降低成本
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