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關(guān)于金博
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產(chǎn)品中心
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碳/碳復(fù)合材料堝托
用途與特點(diǎn)： 用于高純硅晶體生長，承載硅料和石英坩堝，抗折強(qiáng)度≥120MPa，作為石墨的替代產(chǎn)品，厚度減薄50%以上，極限載荷提升至噸級，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長降低成本
關(guān)鍵詞:
詳細(xì)介紹
| 推薦牌號 | KBC13 |
| 密度（g/cm3） | ≥1.3 |
| 彎曲強(qiáng)度（MPa） | ≥90 |
| 熱膨脹系數(shù)（10-6/℃） | <1.0 |
| 室溫導(dǎo)熱系數(shù)（W/(m• K)） | >30 |
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相關(guān)產(chǎn)品
用途與特點(diǎn)：用于高純硅晶體生長，承載硅料和石英坩堝，抗折強(qiáng)度≥120MPa，作為進(jìn)口石墨的替代產(chǎn)品，裝料量提高5倍以上，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長降低成本
用途與特點(diǎn)：用于高純硅晶體生長，構(gòu)建晶體生長的梯度溫場，作為進(jìn)口石墨的替代產(chǎn)品，長晶速率提高2倍以上，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體提升生長效率
用途與特點(diǎn)： 用于高純硅晶體生長，構(gòu)建長晶空間，保障長晶溫度穩(wěn)定，長晶功率降低40%以上，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長節(jié)能降耗
用途與特點(diǎn)： 用于高純硅晶體生長，為晶體生長提供熱量，局部溫度可達(dá)2200℃以上，作為進(jìn)口石墨的替代產(chǎn)品，使用壽命長，為半導(dǎo)體、光伏晶體長時(shí)間生長提供保障
用途與特點(diǎn)： 用于高純硅晶體生長，構(gòu)建晶體生長的梯度溫場，作為石墨、石英的替代產(chǎn)品，具有導(dǎo)熱低，強(qiáng)度高，熱膨脹系數(shù)低，抗沖擊性、抗熱震性優(yōu)異等特點(diǎn)，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體節(jié)能降耗，提升效率
用途與特點(diǎn)： 用于高純硅晶體生長，作為轉(zhuǎn)接部件構(gòu)建長晶空間，強(qiáng)度高，導(dǎo)熱低，重量輕，熱膨脹系數(shù)低，抗熱震性能優(yōu)異，能以更薄的厚度安全承載更大的載荷，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長節(jié)能降耗，降低成本
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